IRF610 Todos los transistores

 

IRF610 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF610
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRF610 Datasheet (PDF)

 ..2. Size:174K  international rectifier
irf610.pdf pdf_icon

IRF610

 ..3. Size:202K  international rectifier
irf610pbf.pdf pdf_icon

IRF610

IRF610, SiHF610Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 200Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 1.5RoHS* Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 8.2COMPLIANT Ease of ParallelingQgs (nC) 1.8Qgd (nC) 4.5 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECD

 ..4. Size:148K  fairchild semi
irf610.pdf pdf_icon

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Otros transistores... IRF540FI , IRF540N , IRF540NL , IRF540NS , IRF541 , IRF542 , IRF543 , IRF550A , IRFP260 , IRF610A , IRF610S , IRF611 , IRF612 , IRF613 , IRF614 , IRF614A , IRF614S .

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