BSS205N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSS205N
   Código: SZs
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 2.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 114 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSS205N

BSS205N Datasheet (PDF)

..1. Size:210K infineon
bss205n.pdf

BSS205NOptiMOS2 Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesV 20 VDS N-channelR V =4.5 V 50mDS(on),max GS Enhancement modeV =2.5 V 85GS Super Logic level (2.5V rated)I 2.5 AD Avalanche rated Qualified according to AEC Q101PG-SOT23 100% lead-free; RoHS compliant3 Halogen-free according to IEC61249-2-2112Type Package Tape

..2. Size:123K tysemi
bss205n.pdf

Product specificationBSS205NOptiMOS2 Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesV 20 VDS N-channelR V =4.5 V 50mDS(on),max GS Enhancement modeV =2.5 V 85GS Super Logic level (2.5V rated)I 2.5 AD Avalanche rated Qualified according to AEC Q101PG-SOT23 100% lead-free; RoHS compliant3 Halogen-free according to IEC61249-2-21

9.1. Size:250K infineon
bss209pw.pdf

BSS 209PWOptiMOS-P Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesV -20 VDS P-ChannelR 550mDS(on),max Enhancement modeI -0.63 AD Super Logic level ( 2.5 V rated) 150C operating temperaturePG-SOT-323 Avalanche rated dv /dt rated Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to AEC Q101 Halogen-free according to IE

9.2. Size:252K infineon
bss209pw2.pdf

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