CM10N60F Todos los transistores

 

CM10N60F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CM10N60F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220FH
 

 Búsqueda de reemplazo de CM10N60F MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CM10N60F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:127K  jdsemi
 cm10n60f.pdf pdf_icon

CM10N60F

RCM10N60F www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE2 1

 7.1. Size:124K  jdsemi
 cm10n60afz.pdf pdf_icon

CM10N60F

RC1N0FM06AZ www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1LDE21 2

 7.2. Size:124K  jdsemi
 cm10n60az.pdf pdf_icon

CM10N60F

RCM10N60AZ www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE2

 7.3. Size:124K  jdsemi
 cm10n60.pdf pdf_icon

CM10N60F

RCM10N60 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE2 3

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... XP151A13A0MR , XP152A11E5MR , XP152A12C0MR , CM100N03 , CM10N40 , CM10N60 , CM10N60AFZ , CM10N60AZ , IRFB7545 , CM10N65AFZ , CM10N65AZ , CM10N65F , CM10N80P , CM110N055 , CM120N06 , CM12N60A , CM12N60AF .

History: PTP88N07 | FDS4935A | 2SK3781-01R

 

 
Back to Top

 


 
.