CM12N65F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM12N65F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220FH
Búsqueda de reemplazo de CM12N65F MOSFET
CM12N65F Datasheet (PDF)
cm12n65f.pdf
RCM12N65F www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 650V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE2 1 2
cm12n65af.pdf
RCM12N65AF www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 650V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE2 12
cm12n65a to220a.pdf
RCM12N65A www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 650V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE2 3
cm12n65 to220a.pdf
RCM12N65 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 650V N-Channel VDMOS RoHS
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History: AP6N090N | AOB15S65L | S45N17S | SD8901HD | STD3LN62K3 | STD3N62K3 | AP50T10AGI-HF
History: AP6N090N | AOB15S65L | S45N17S | SD8901HD | STD3LN62K3 | STD3N62K3 | AP50T10AGI-HF
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