CM13N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM13N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220A
CM13N50 Datasheet (PDF)
cm13n50.pdf

RC1N0M35 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 500V N-Channel VDMOS RoHS 12 3
cm13n50f to220fh.pdf

RCM13N50F www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 500V N-Channel VDMOS RoHS
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Liste
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