CM15N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM15N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 150 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.6 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220A
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CM15N50 Datasheet (PDF)
1.1. cm15n50.pdf 
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R C1N0 M55 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆500V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1 ．主要用途 主要用于电子镇流器、节能灯、 跑步机等功率开关电路 2 ．主要特点 开关速度快 驱动简单，可并联使用 3 ．封装
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