CM18N50F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CM18N50F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 65 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.45 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220FH

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CM18N50F

CM18N50F Datasheet (PDF)

..1. Size:146K jdsemi
cm18n50f.pdf

RCM18N50F www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 500V N-Channel VDMOS RoHS

7.1. Size:124K jdsemi
cm18n50p.pdf

RC1N0M85P www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 500V N-Channel VDMOS RoHS 121 2 33

9.1. Size:122K jdsemi
cm18n20.pdf

RC1N0M82 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 200V N-Channel VDMOS RoHS 12 3TO-220A 4

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: