CM1N70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM1N70
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 14 Ohm
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de CM1N70 MOSFET
CM1N70 Datasheet (PDF)
cm1n70.pdf

RC17MN0 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 700V N-Channel VDMOS RoHS 12 3TO-92 4
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History: NTTFS4928N | 2N6789-SM | BF1100R | 3SK59 | IPP037N08N3GE8181 | FDS3890
History: NTTFS4928N | 2N6789-SM | BF1100R | 3SK59 | IPP037N08N3GE8181 | FDS3890



Liste
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