CM20N50P Todos los transistores

 

CM20N50P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CM20N50P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 260 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PB
 

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CM20N50P datasheet

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R C2N0Z M05P www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 500V N-Channel VDMOS RoHS 1 2 1 2 3 3

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CM20N50P

R CM20N50 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 500V N-Channel VDMOS RoHS 1 2 3

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