CM20N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM20N60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
Encapsulados: TO220A
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CM20N60 datasheet
cm20n60.pdf
R CM20N60 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 2 3
Otros transistores... CM1N60 , CM1N60C , CM1N60S , CM1N70 , CM20N50 , CM20N50F , CM20N50P , CM20N50PZ , IRFB4227 , CM20N60F , CM20N60P , CM220N04 , CM25N06 , CM2N60 , CM2N60C , CM2N60F , CM2N65C .
History: SED8830N | DG2N65-252 | ZXMP6A16DN8 | DMG4N60SCT | 19N20 | CM8N80 | PJW4N06A-AU
History: SED8830N | DG2N65-252 | ZXMP6A16DN8 | DMG4N60SCT | 19N20 | CM8N80 | PJW4N06A-AU
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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