CM20N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CM20N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220A

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CM20N60

CM20N60 Datasheet (PDF)

..1. Size:126K jdsemi
cm20n60.pdf

RCM20N60 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 2 3

0.1. Size:130K jdsemi
cm20n60f.pdf

RCM20N60F www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 2 12 3

0.2. Size:140K jdsemi
cm20n60p to3pb.pdf

RCM20N60P www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS

9.1. Size:130K jdsemi
cm20n50f.pdf

RCM20N50F www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 500V N-Channel VDMOS RoHS 1 2 1 23

9.2. Size:128K jdsemi
cm20n50.pdf

RCM20N50 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 500V N-Channel VDMOS RoHS 1 2 3

9.3. Size:126K jdsemi
cm20n50pz.pdf

RC2N0ZM05P www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 500V N-Channel VDMOS RoHS 121 2 33

9.4. Size:129K jdsemi
cm20n50p.pdf

RCM20N50P www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 500V N-Channel VDMOS RoHS 1 2 1 2 33

Otros transistores... CM1N60 , CM1N60C , CM1N60S , CM1N70 , CM20N50 , CM20N50F , CM20N50P , CM20N50PZ , IRFB4110 , CM20N60F , CM20N60P , CM220N04 , CM25N06 , CM2N60 , CM2N60C , CM2N60F , CM2N65C .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: