CM20N60F Todos los transistores

 

CM20N60F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CM20N60F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm

Encapsulados: TO220FH

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CM20N60F datasheet

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CM20N60F

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CM20N60F

R CM20N60 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 2 3

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CM20N60F

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History: APM2300CAC | STM8362 | AOD2610E | TK62N60X | ELM32414LA | R6007KNX

 

 

 

 

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