CM30N40PZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM30N40PZ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3PB
Búsqueda de reemplazo de CM30N40PZ MOSFET
CM30N40PZ Datasheet (PDF)
cm30n40pz.pdf
RCM30N40PZ www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 400V N-Channel VDMOS RoHS 1 2 1 233
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History: HFD1N60SA
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