CM7N65F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CM7N65F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Encapsulados: TO220FH
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CM7N65F datasheet
cm7n65f.pdf
R C76F MN5 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 650V N-Channel VDMOS RoHS 1 LD E 2 1 2
cm7n60f.pdf
R CM7N60F www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 LD E 2 1 2
Otros transistores... CM60N03 , CM60N03C , CM6N40 , CM6N40C , CM6N60 , CM6N60F , CM7N60 , CM7N60F , CS150N03A8 , CM84N06 , CM8N06C , CM8N50 , CM8N50F , CM8N60 , CM8N60F , CM8N65F , CM8N80 .
History: TK5A60W | AOD407 | DMP2225L | IXFQ50N50P3 | MSF10N65 | STS3417
History: TK5A60W | AOD407 | DMP2225L | IXFQ50N50P3 | MSF10N65 | STS3417
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