CS24N50_ANHD Todos los transistores

 

CS24N50_ANHD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS24N50_ANHD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 230 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 500 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 24 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 117 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 410 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.26 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO3PN

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CS24N50_ANHD Datasheet (PDF)

0.1. cs24n50 anhd.pdf Size:678K _crhj

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Silicon N-Channel Power MOSFET R CS24N50 ANHD General Description VDSS 500 V CS24N50 ANHD, the silicon N-channel Enhanced ID 24 A PD(TC=25) 230 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.18 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

7.1. jcs24n50wh-abh.pdf Size:1012K _jilin_sino

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N lSX:_W:WHe^vfSO{ N- CHANNEL MOSFET RJCS24N50H ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS \ Package ID 24 A VDSS 500 V Rdson-max 0.19 @Vgs=10V Qg-typ 81nC APPLICATIONS (u l High efficienc

7.2. cs24n50.pdf Size:124K _china

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CS24N50 N PD TC=25 300 W 0.40 W/ ID VGS=10V,TC=25 24 A IDM 96 VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.42 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 500 V RDS on VGS=10V,ID=12A 0.23 VGS th VDS=VGS,ID=4mA 2.

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
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