CS24N50ANHD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS24N50ANHD  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 230 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 117 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm

Encapsulados: TO3PN

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de CS24N50ANHD MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CS24N50ANHD datasheet

 6.1. Size:990K  jilin sino
 jcs24n50wh jcs24n50abh.pdf pdf_icon

CS24N50ANHD

N N- CHANNEL MOSFET R JCS24N50H MAIN CHARACTERISTICS Package ID 24 A VDSS 500 V Rdson-max 0.19 @Vgs=10V Qg-typ 81nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

 7.1. Size:1012K  jilin sino
 jcs24n50wh-abh.pdf pdf_icon

CS24N50ANHD

 7.2. Size:678K  crhj
 cs24n50 anhd.pdf pdf_icon

CS24N50ANHD

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS24N50 ANHD General Description VDSS 500 V CS24N50 ANHD, the silicon N-channel Enhanced ID 24 A PD(TC=25 ) 230 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.18 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

 7.3. Size:124K  china
 cs24n50.pdf pdf_icon

CS24N50ANHD

CS24N50 N PD TC=25 300 W 0.40 W/ ID VGS=10V,TC=25 24 A IDM 96 VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.42 /W BVDSS VGS=0V,ID=0.25mA 500 V RDS on VGS=10V,ID=12A 0.23 VGS th VDS=VGS,ID=4mA 2.

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... VB2290, CS4N80A4HD-G, VB8338, CS4N80A3HD-G, CS4N70FA9R, VBA1615, VBA1630, CS24N40FA9H, STP75NF75, CS25N06B3, CS25N06B4, CS25N06B8, CS4N65FA9HD, CS4N65A3HD1-G, SI2369DS-T1, SI2399CDS-T1, CS460FA9H