SI2399CDS-T1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI2399CDS-T1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI2399CDS-T1

SI2399CDS-T1 Datasheet (PDF)

..1. Size:905K cn vbsemi
si2399cds-t1.pdf

Si2399CDS-T1www.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg TestedVDS (V) RDS(on) () Typ.ID (A)a Qg (Typ.)0.046 at VGS = - 10 V - 5.60.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC- 30APPLICATIONS0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing- Load Switch- Notebook Adaptor SwitchSTO-236- DC/DC Converter(SO

8.1. Size:172K vishay
si2399ds.pdf

Si2399DSVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.034 at VGS = - 10 V - 6e TrenchFET Power MOSFET- 20 0.045 at VGS = - 4.5 V - 6e 10 nC 100 % Rg Tested0.067 at VGS = - 2.5 V - 5.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIO

8.2. Size:1699K kexin
si2399ds-3.pdf

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETSI2399DS (KI2399DS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features VDS (V) = -20V ID = -6A 1 2+0.02+0.10.15 -0.02 RDS(ON) 34m (VGS = -10V) 0.95 -0.1+0.11.9 -0.2 RDS(ON) 45m (VGS = -4.5V) RDS(ON) 67m (VGS = -2.5V)1. Gate2. Source3. DrainG 13 DS 2 Absolute Maximum R

8.3. Size:1691K kexin
si2399ds.pdf

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETSI2399DS (KI2399DS)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features VDS (V) = -20V ID = -6A 1 2 RDS(ON) 34m (VGS = -10V)+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.1 RDS(ON) 45m (VGS = -4.5V) RDS(ON) 67m (VGS = -2.5V)1. Gate2. Source3. DrainG 13 DS 2 Absolute Maximum Rati

8.4. Size:892K cn vbsemi
si2399ds-t1.pdf

Si2399DS-T1www.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: