2N7085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N7085
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 35 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
Paquete / Cubierta: TO257
Búsqueda de reemplazo de 2N7085 MOSFET
2N7085 Datasheet (PDF)
2n7085.pdf
2N7085MECHANICAL DATADimensions in mm(inches)NCHANNELENHANCEMENT MODE4.83 (0.190)5.08 (0.200)10.41 (0.410)10.67 (0.420)0.89 (0.035)TRANSISTOR1.14 (0.045)3.56 (0.140)Dia.3.81 (0.150)V(BR)DSS 100V1 2 3ID(A) 20ARDS(on) 0.0750.64 (0.025)Dia.0.89 (0.035)2.54 (0.100) 3.05 (0.120)BSC BSCFEATURES TO257AB HERMETIC PACKAGE FORHIGH RELIABILITY APPL
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History: IXFP16N50P3 | AP04N60I-HF | AP04N60J-HF | FDI3632
History: IXFP16N50P3 | AP04N60I-HF | AP04N60J-HF | FDI3632
Liste
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