SSC8033GS6 Todos los transistores

 

SSC8033GS6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSC8033GS6
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 24 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

 Búsqueda de reemplazo de SSC8033GS6 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SSC8033GS6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:868K  cn vbsemi
 ssc8033gs6.pdf pdf_icon

SSC8033GS6

SSC8033GS6www.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg TestedVDS (V) RDS(on) () Typ.ID (A)a Qg (Typ.)0.046 at VGS = - 10 V - 5.60.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC- 30APPLICATIONS0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing- Load Switch- Notebook Adaptor SwitchSTO-236- DC/DC Converter(SOT-

 8.1. Size:921K  cn vbsemi
 ssc8035gs6.pdf pdf_icon

SSC8033GS6

SSC8035GS6www.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg TestedVDS (V) RDS(on) () Typ.ID (A)a Qg (Typ.)0.046 at VGS = - 10 V - 5.60.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC- 30APPLICATIONS0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing- Load Switch- Notebook Adaptor SwitchSTO-236- DC/DC Converter(SOT-

 9.1. Size:919K  cn vbsemi
 ssc8022gs6.pdf pdf_icon

SSC8033GS6

SSC8022GS6www.VBsemi.twN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.)Definition0.028 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET6a 100 % Rg Tested20 0.042 at VGS = 2.5 V 6a 8.8 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.050 at VGS = 1.8 V 5.6APPLICATIONS DC/D

Otros transistores... MTD6P10ET4 , MMSF7P03HDR2G , CS730A8H , SPN3400S23RG , CS730FA9H , CS730FA9RD , CS740A0H , CS120N08A8 , IRF2807 , SSC8035GS6 , CS7N60A3R , CS7N60A4R , NCE0108AS , NTF5P03T3G , NTGS3443T1G , NTGS4111PT , CS7N60FA9R .

History: WSF3036A | IRF740LC | SI5853 | IRF7309TRPBF | WT3139K | STB80NF55L-06 | NCEP068N10AG

 

 
Back to Top

 


 
.