STC5NF20V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STC5NF20V
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 330 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STC5NF20V

STC5NF20V Datasheet (PDF)

..1. Size:283K st
stc5nf20v.pdf

STC5NF20VN-channel 20V - 0.030 - 5A - TSSOP82.7V-drive STripFET II Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID

..2. Size:841K cn vbsemi
stc5nf20v.pdf

STC5NF20Vwww.VBsemi.twDual N-Channel 25-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free Option AvailableVDS (V) RDS(on) ()ID (A)Pb-free TrenchFET Power MOSFETs0.022 at VGS = 4.5 V Available6.625RoHS*0.032 at VGS = 2.5 V 5.5COMPLIANTDDTSSOP-8 D D 1 8 S S 1 2 7 2 S S G1 G21 3 6 2 G 1 4 G 2 5 S1 S2Top View ABSOLUTE MAXIMUM RAT

8.1. Size:324K st
stc5nf30v.pdf