SQ9945BEY-T1-GE3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SQ9945BEY-T1-GE3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SQ9945BEY-T1-GE3
SQ9945BEY-T1-GE3 Datasheet (PDF)
sq9945bey-t1-ge3.pdf
SQ9945BEY-T1-GE3www.VBsemi.twDual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.040RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.055ID (A) per leg 7Configuration DualSO-8 DualD2D1 D2D2 5D16D178G1 G24G233S1S2S2 S222GG111N-Channel MOSFET N
sq9945bey.pdf
SQ9945BEYwww.vishay.comVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.064 AEC-Q101 QualifiedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.082 Material categorization:ID (A) per leg 6For definitions of compliance please see Configuratio
sq9945ae.pdf
SQ9945AEYVishay SiliconixAutomotive Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60Pb-free Package with Low Thermal ResistanceAvailableRDS(on) () at VGS = 10 V 0.080RoHS*ID (A) 3.7AEC-Q101 RELIABILITYCOMPLIANTConfiguration Dual Passed all AEC-Q101 Reliability TestingD2D1 Characterization O
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Liste
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