AO4900 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AO4900
   Código: 4900
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 96 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AO4900

AO4900 Datasheet (PDF)

..1. Size:1756K kexin
ao4900.pdf

SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4900 (KO4900)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = 30V ID = 6.9 A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 27m (VGS = 10V) RDS(ON) 32m (VGS = 4.5V)1 S2/A5 D1 RDS(ON) 50m (VGS = 2.5V)2 G26 D13 S1 7 D2/K VDS (V) = 30V, IF = 3A, VF

9.1. Size:1753K kexin
ao4906.pdf

SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4906 (KO4906)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = 30V ID = 7 A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 27m (VGS = 10V) RDS(ON) 32m (VGS = 4.5V)1 D25 D1/S2/K RDS(ON) 50m (VGS = 2.5V)2 D26 D1/S2/K VDS (V) = 30V, IF = 3A, VF

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: