AO4900 Todos los transistores

 

AO4900 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AO4900
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 96 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de AO4900 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AO4900 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1756K  kexin
 ao4900.pdf pdf_icon

AO4900

SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4900 (KO4900)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = 30V ID = 6.9 A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 27m (VGS = 10V) RDS(ON) 32m (VGS = 4.5V)1 S2/A5 D1 RDS(ON) 50m (VGS = 2.5V)2 G26 D13 S1 7 D2/K VDS (V) = 30V, IF = 3A, VF

 9.1. Size:1753K  kexin
 ao4906.pdf pdf_icon

AO4900

SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4906 (KO4906)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = 30V ID = 7 A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 27m (VGS = 10V) RDS(ON) 32m (VGS = 4.5V)1 D25 D1/S2/K RDS(ON) 50m (VGS = 2.5V)2 D26 D1/S2/K VDS (V) = 30V, IF = 3A, VF

Otros transistores... SI4558DY , SI5504DC , SI5513CD , SIA517DJ , SI4953ADY , SI1903DL , SI4953DY , AO4824L , SPP20N60C3 , AO4906 , AO4912 , AO4918 , AO6804 , KI8205A , KI8205T , KI8810DY , KI8810T .

History: R6535KNZ | HYG013N03LS1C2 | NCEP039N10MD | SI5429DU | SFG08R06DF | SIR873DP | IRFR410

 

 
Back to Top

 


 
.