AO4906 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AO4906
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4.1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 96 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
Encapsulados: SOP8
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AO4906 datasheet
ao4906.pdf
SMD Type MOSFET Dual N-Channel MOSFET AO4906 (KO4906) SOP-8 Unit mm Features VDS (V) = 30V ID = 7 A (VGS = 10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 27m (VGS = 10V) RDS(ON) 32m (VGS = 4.5V) 1 D2 5 D1/S2/K RDS(ON) 50m (VGS = 2.5V) 2 D2 6 D1/S2/K VDS (V) = 30V, IF = 3A, VF
ao4900.pdf
SMD Type MOSFET Dual N-Channel MOSFET AO4900 (KO4900) SOP-8 Unit mm Features VDS (V) = 30V ID = 6.9 A (VGS = 10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 27m (VGS = 10V) RDS(ON) 32m (VGS = 4.5V) 1 S2/A 5 D1 RDS(ON) 50m (VGS = 2.5V) 2 G2 6 D1 3 S1 7 D2/K VDS (V) = 30V, IF = 3A, VF
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Liste
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