KI8810DY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KI8810DY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 320 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Encapsulados: SOP8
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KI8810DY datasheet
ki8810dy.pdf
SMD Type MOSFET Dual N-Channel MOSFET KI8810DY SOP-8 Features VDS (V) = 20V ID = 7 A 1.50 0.15 RDS(ON) 20m (VGS = 4.5V) RDS(ON) 30m (VGS = 2.5V) RDS(ON) 50m (VGS = 1.8V) ESD Rating 2KV HBM D1 D2 S1 1 D1 8 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G1 G2 G2 4 D2 5 Top View S2 S1 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Ratin
ki8810ds.pdf
SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET KI8810DS SOT-23-3 Unit mm +0.2 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features VDS (V) = 20V ID = 6 A 1 2 RDS(ON) 22m (VGS = 4.5V) +0.02 +0.1 0.15 -0.02 0.95 -0.1 +0.1 1.9 -0.2 RDS(ON) 30m (VGS = 2.5V) D ESD protected G 1. Gate 2. Source 3. Drain S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol R
ki8810t.pdf
SMD Type MOSFET Dual N-Channel MOSFET KI8810T ( ) SOT-23-6 Unit mm 0.4+0.1 -0.1 Features 6 5 4 VDS (V) = 20V ID = 7 A RDS(ON) 20m (VGS = 4.5V) 2 3 1 RDS(ON) 30m (VGS = 2.5V) +0.02 0.15 -0.02 +0.01 -0.01 RDS(ON) 50m (VGS = 1.8V) +0.2 -0.1 ESD Rating 2KV HBM D1 D2 S1 1 6 G1 G1 G2 D1/D2 2 5 D1/D2 S2 3 4 G2 S2 S1
Otros transistores... AO4824L , AO4900 , AO4906 , AO4912 , AO4918 , AO6804 , KI8205A , KI8205T , AON7410 , KI8810T , KI9926A , KX4N03W , SI4946DY , SI9926BDY , SI9926DY , 2SJ130S , 2SJ213 .
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Liste
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