A9451 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: A9451
   Código: A9451
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.135 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89

Búsqueda de reemplazo de MOSFET A9451

A9451 Datasheet (PDF)

..1. Size:1156K kexin
a9451.pdf

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFET A9451 Features VDS (V) =-20V1.70 0.1 ID =-2.3A (VGS =12V) RDS(ON) 0.135 (VGS =-4.5V) RDS(ON) 0.240 (VGS =-2.5V) Marking: A94510.42 0.10.46 0.11.Gate2.Drain3.Source Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -20V Gate-Source Voltage VGS 12

0.1. Size:556K jiangsu
cja9451.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJA9451 P-Channel 20-V(D-S) MOSFET SOT-89-3L Description The Advanced Power MOSFETs provide the desigher with the best combination of fast switching, ruggedized device desigh, ultra low 1. GATE on- resistance and cost-effectiveness. 2. DRAIN 3. SOURCE 1 2 2 3 Maximum ratings (

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: