AO3415AS Todos los transistores

 

AO3415AS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AO3415AS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 205 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

AO3415AS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1662K  kexin
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AO3415AS

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETAO3415AS (KO3415AS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4-0.1 Features 3 VDS (V) =-20V ID =-4A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 45m (VGS =-4.5V) 1 2+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1D RDS(ON) 54m (VGS =-2.5V)+0.11.9 -0.2 RDS(ON) 75m (VGS =-1.8V) ESD Rating: 3000V HBMG1. Gate2. Source3. Dra

 7.1. Size:319K  aosemi
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AO3415AS

AO3415A20V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS -20VThe AO3415A uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON), low gate charge and operation ID (at VGS=-4.5V) -5Awith gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable RDS(ON) (at VGS= -4.5V)

 7.2. Size:1729K  kexin
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AO3415AS

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETAO3415A (KO3415A)SOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.1 Features3 VDS (V) =-20V ID =-5 A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 43m (VGS =-4.5V)1 2+0.10.95-0.1 0.1+0.05 RDS(ON) 55m (VGS =-2.5V) -0.01+0.11.9-0.1 RDS(ON) 75m (VGS =-1.8V) RDS(ON) 100m (VGS =-1.5V)1. Gate2. SourceD3. Dra

 7.3. Size:1694K  kexin
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AO3415AS

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETAO3415A (KO3415A)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) =-20V ID =-5 A (VGS =-4.5V)1 2 RDS(ON) 43m (VGS =-4.5V)+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9 -0.2 RDS(ON) 55m (VGS =-2.5V) RDS(ON) 75m (VGS =-1.8V) RDS(ON) 100m (VGS =-1.5V)1. Gate2. Source

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History: SDF9N100JEA-U | DMN2170U | SP8010E | RU304B | TN0104N8 | 2N5908 | FSS430R

 

 
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