KI005P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KI005P
   Código: 005P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.1 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KI005P

KI005P Datasheet (PDF)

..1. Size:327K kexin
ki005p.pdf

SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET KI005PSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) =-20V ID =-2.8 A1 2 RDS(ON) 115m (VGS =-4.5V)+0.10.95-0.1 0.1+0.05-0.011.9+0.1-0.1 RDS(ON) 160m (VGS =-2.5V)1.Gate2.Source3.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Sourc

0.1. Size:773K kexin
ki005pdfn.pdf

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETKI005PDFNDFN2X2-06L Features VDS (V) =-12V ID =-4.1 A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 45m (VGS =-4.5V) RDS(ON) 60m (VGS =-2.5V) Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -12V Gate-Source Voltage VGS 12 Continuous Drain Current ID -4.1 A Power Dissipation PD 1.4 W

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Liste

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