KI2955DS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KI2955DS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET KI2955DS
KI2955DS Datasheet (PDF)
ki2955ds.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETKI2955DSSOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.10.4+0.1-0.13 Features VDS (V) =-60V ID =-3.5 A (VGS =-10V)1 2 RDS(ON) 100 m (VGS =-10V)+0.1+0.050.95 -0.1 0.1-0.01+0.11.9 -0.1 RDS(ON) 120 m (VGS =-4.5V)1. Gate2. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drai
ki2955ds-3.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETKI2955DSSOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) =-60V1 2 ID =-3.5 A (VGS =-10V)+0.02+0.10.15 -0.020.95-0.1+0.1 RDS(ON) 100 m (VGS =-10V)1.9 -0.2 RDS(ON) 120 m (VGS =-4.5V)1. Gate2. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit
ki2955dv.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETKI2955DV( )SOT-23-6 Unit: mm0.4+0.1-0.1 Features6 5 4 VDS (V) =-60V ID =-3.5 A (VGS =-10V) RDS(ON) 95m (VGS =-10V)2 31 RDS(ON) 130 m (VGS =-4.5V)+0.020.15 -0.02+0.01-0.01+0.2-0.1DDDDSG Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS
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Liste
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