KI2955DV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KI2955DV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT163

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KI2955DV

KI2955DV Datasheet (PDF)

..1. Size:1882K kexin
ki2955dv.pdf

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETKI2955DV( )SOT-23-6 Unit: mm0.4+0.1-0.1 Features6 5 4 VDS (V) =-60V ID =-3.5 A (VGS =-10V) RDS(ON) 95m (VGS =-10V)2 31 RDS(ON) 130 m (VGS =-4.5V)+0.020.15 -0.02+0.01-0.01+0.2-0.1DDDDSG Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS

7.1. Size:2152K kexin
ki2955ds.pdf

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETKI2955DSSOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.10.4+0.1-0.13 Features VDS (V) =-60V ID =-3.5 A (VGS =-10V)1 2 RDS(ON) 100 m (VGS =-10V)+0.1+0.050.95 -0.1 0.1-0.01+0.11.9 -0.1 RDS(ON) 120 m (VGS =-4.5V)1. Gate2. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drai

7.2. Size:2154K kexin
ki2955ds-3.pdf

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETKI2955DSSOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) =-60V1 2 ID =-3.5 A (VGS =-10V)+0.02+0.10.15 -0.020.95-0.1+0.1 RDS(ON) 100 m (VGS =-10V)1.9 -0.2 RDS(ON) 120 m (VGS =-4.5V)1. Gate2. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit

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Liste

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