KI2955DV Todos los transistores

 

KI2955DV MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: KI2955DV

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm

Encapsulados: SOT163

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KI2955DV datasheet

 ..1. Size:1882K  kexin
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KI2955DV

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET KI2955DV ( ) SOT-23-6 Unit mm 0.4+0.1 -0.1 Features 6 5 4 VDS (V) =-60V ID =-3.5 A (VGS =-10V) RDS(ON) 95m (VGS =-10V) 2 3 1 RDS(ON) 130 m (VGS =-4.5V) +0.02 0.15 -0.02 +0.01 -0.01 +0.2 -0.1 D D D D S G Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS

 7.1. Size:2152K  kexin
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KI2955DV

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET KI2955DS SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 0.4+0.1 -0.1 3 Features VDS (V) =-60V ID =-3.5 A (VGS =-10V) 1 2 RDS(ON) 100 m (VGS =-10V) +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9 -0.1 RDS(ON) 120 m (VGS =-4.5V) 1. Gate 2. Source 3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drai

 7.2. Size:2154K  kexin
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KI2955DV

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET KI2955DS SOT-23-3 Unit mm +0.2 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features VDS (V) =-60V 1 2 ID =-3.5 A (VGS =-10V) +0.02 +0.1 0.15 -0.02 0.95-0.1 +0.1 RDS(ON) 100 m (VGS =-10V) 1.9 -0.2 RDS(ON) 120 m (VGS =-4.5V) 1. Gate 2. Source 3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit

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History: AO4607 | 2SK3575-Z | IRF7473TR | AO4614 | SL10N10A | AO4423-L

 

 

 

 

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