KX5P04DY Todos los transistores

 

KX5P04DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KX5P04DY
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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KX5P04DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1275K  kexin
 kx5p04dy.pdf pdf_icon

KX5P04DY

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETKX5P04DYSOP-8 Unit:mm Features VDS (V) =-40V ID =-5.3 A (VGS =-10V)1.50 0.15 RDS(ON) 80m (VGS =-10V) RDS(ON) 120m (VGS =-4.5V)1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 Gate Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -40V Gate-Sourc

 9.1. Size:322K  kexin
 kx5p02.pdf pdf_icon

KX5P04DY

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETKX5P02SOP-8 Features VDS (V) =-20V ID =-5 A (VGS =-10V)1.50 0.15 RDS(ON) 50m (VGS =-10V) RDS(ON) 85m (VGS =-4.5V)1 Source 5 Drain2 Source 6 Drain3 Source 7 Dr ain4 Gate 8 Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -20V Gate-Source Voltage VGS

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