NDT12P20 Todos los transistores

 

NDT12P20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NDT12P20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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NDT12P20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:998K  kexin
 ndt12p20.pdf pdf_icon

NDT12P20

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETNDT12P20TO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.1+0.25.30-0.2 +0.8 Features 0.50 -0.7 VDS (V) =-20V 4 ID =-10 A RDS(ON) 150m (VGS =-4.5V)0.127+0.10.80-0.1max RDS(ON) 250m (VGS =-2.5V) Gate Drive Capability: 2.5V+ 0.12.3 0.60- 0.11 Gate+0.154.60 -0.152 Drain3 SourceD4 Drain

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History: S68N08ZRP | GSM4946W

 

 
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