NDT12P20 Todos los transistores

 

NDT12P20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NDT12P20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: TO252

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NDT12P20 datasheet

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NDT12P20

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET NDT12P20 TO-252 Unit mm +0.15 6.50-0.15 +0.1 2.30 -0.1 +0.2 5.30-0.2 +0.8 Features 0.50 -0.7 VDS (V) =-20V 4 ID =-10 A RDS(ON) 150m (VGS =-4.5V) 0.127 +0.1 0.80-0.1 max RDS(ON) 250m (VGS =-2.5V) Gate Drive Capability 2.5V + 0.1 2.3 0.60- 0.1 1 Gate +0.15 4.60 -0.15 2 Drain 3 Source D 4 Drain

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History: 2SK1695

 

 

 

 

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