NDT12P20 Todos los transistores

 

NDT12P20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NDT12P20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de NDT12P20 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

NDT12P20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:998K  kexin
 ndt12p20.pdf pdf_icon

NDT12P20

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETNDT12P20TO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.1+0.25.30-0.2 +0.8 Features 0.50 -0.7 VDS (V) =-20V 4 ID =-10 A RDS(ON) 150m (VGS =-4.5V)0.127+0.10.80-0.1max RDS(ON) 250m (VGS =-2.5V) Gate Drive Capability: 2.5V+ 0.12.3 0.60- 0.11 Gate+0.154.60 -0.152 Drain3 SourceD4 Drain

Otros transistores... KO3401 , KO3415A , KO4407 , KX5P02 , KX5P04DY , KX6P02 , KX9435 , KXF2955 , 5N50 , NDT40P04 , NTMS10P02R2 , NTR4101P , SI2301BDS , IXFP18N65X2 , SI2303BDS , SI2303DS , SI2305DS .

History: NTP5412NG | FDN371N | SML3520HN | SWD5N65K | FDB86360F085 | SNN3100L15Q | SIA465EDJ

 

 
Back to Top

 


 
.