NDT12P20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NDT12P20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 25 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 10 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.2 V
Carga de la puerta (Qg): 6 nC
Tiempo de subida (tr): 60 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 180 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.15 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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NDT12P20 Datasheet (PDF)
..1. Size:998K kexin
ndt12p20.pdf
ndt12p20.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETNDT12P20TO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.1+0.25.30-0.2 +0.8 Features 0.50 -0.7 VDS (V) =-20V 4 ID =-10 A RDS(ON) 150m (VGS =-4.5V)0.127+0.10.80-0.1max RDS(ON) 250m (VGS =-2.5V) Gate Drive Capability: 2.5V+ 0.12.3 0.60- 0.11 Gate+0.154.60 -0.152 Drain3 SourceD4 Drain
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