IXFP18N65X2 Todos los transistores

 

IXFP18N65X2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFP18N65X2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 290 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 29 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de IXFP18N65X2 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IXFP18N65X2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:336K  ixys
 ixfa18n65x2 ixfp18n65x2 ixfh18n65x2.pdf pdf_icon

IXFP18N65X2

X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFA18N65X2Power MOSFET ID25 = 18AIXFP18N65X2 RDS(on) 200m IXFH18N65X2N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263(IXFA)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220VDSS TJ = 25C to 150C 650 V(IXFP)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VVGS

 6.1. Size:183K  ixys
 ixfa18n60x ixfh18n60x ixfp18n60x.pdf pdf_icon

IXFP18N65X2

Preliminary Technical InformationX-Class HiPerFETTM VDSS = 600VIXFA18N60XPower MOSFET ID25 = 18AIXFP18N60X RDS(on) 230m IXFH18N60XTO-263 AA (IXFA)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeGSD (Tab)TO-220AB (IXFP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to

 8.1. Size:208K  ixys
 ixfa180n10t2 ixfp180n10t2.pdf pdf_icon

IXFP18N65X2

Preliminary Technical InformationTrenchT2TM HiperFETTM VDSS = 100VIXFA180N10T2Power MOSFET ID25 = 180AIXFP180N10T2 RDS(on) 6m N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXFA)Avalanche RatedFast Intrinsic RectifierGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C 100 VTO-220AB (IXFP)VDGR TJ = 25C to 175C, RG

 9.1. Size:252K  ixys
 ixfa16n50p ixfh16n50p ixfp16n50p.pdf pdf_icon

IXFP18N65X2

IXFA 16N50P VDSS = 500 VPolarHVTM HiPerFETIXFH 16N50P ID25 = 16 APower MOSFETIXFP 16N50P RDS(on) 400 m trr 200 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... KX6P02 , KX9435 , KXF2955 , NDT12P20 , NDT40P04 , NTMS10P02R2 , NTR4101P , SI2301BDS , IRF740 , SI2303BDS , SI2303DS , SI2305DS , SI2307BDS , SI2307DS , SI2315BDS , SI2319DS , SI2321DS .

 

 
Back to Top

 


 
.