SI2399DS Todos los transistores

 

SI2399DS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SI2399DS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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SI2399DS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:172K  vishay
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SI2399DS

Si2399DSVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.034 at VGS = - 10 V - 6e TrenchFET Power MOSFET- 20 0.045 at VGS = - 4.5 V - 6e 10 nC 100 % Rg Tested0.067 at VGS = - 2.5 V - 5.2 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIO

 ..2. Size:1691K  kexin
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SI2399DS

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETSI2399DS (KI2399DS)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features VDS (V) = -20V ID = -6A 1 2 RDS(ON) 34m (VGS = -10V)+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.1 RDS(ON) 45m (VGS = -4.5V) RDS(ON) 67m (VGS = -2.5V)1. Gate2. Source3. DrainG 13 DS 2 Absolute Maximum Rati

 0.1. Size:1699K  kexin
 si2399ds-3.pdf pdf_icon

SI2399DS

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETSI2399DS (KI2399DS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features VDS (V) = -20V ID = -6A 1 2+0.02+0.10.15 -0.02 RDS(ON) 34m (VGS = -10V) 0.95 -0.1+0.11.9 -0.2 RDS(ON) 45m (VGS = -4.5V) RDS(ON) 67m (VGS = -2.5V)1. Gate2. Source3. DrainG 13 DS 2 Absolute Maximum R

 0.2. Size:892K  cn vbsemi
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SI2399DS

Si2399DS-T1www.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESMOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.035 at VGS = - 10 V - 5e TrenchFET Power MOSFETe- 20 0.043 at VGS = - 4.5 V - 5 10 nC 100 % Rg Tested0.061 at VGS = - 2.5 V - 4.8 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

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History: FQP2N40

 

 
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