SI9435BDY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SI9435BDY
   Código: 9435B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 306 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SI9435BDY

SI9435BDY Datasheet (PDF)

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si9435bdy.pdf

..2. Size:1669K kexin
si9435bdy.pdf

SMD Type ICSMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET SI9435BDY (KI9435BDY)SOP-8 Features VDSS = -30V ID = -5.7A (VGS = -10V) RDS(ON) = 42 m @ VGS = -10 V1.50 0.15 RDS(ON) = 70 m @ VGS = -4.5 VSS D1 8GS D2 7S D3 6G D4 5DP-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain-Source Voltag

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si9435bdy-t1-e3.pdf

SI9435BDY-T1-E3www.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.042 at VGS = - 10 V - 5.8 TrenchFET Power MOSFET0.055 at VGS = - 6 V - 30 - 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.060 at VGS = - 4.5 V - 4.4SSO-8GSD1 8S D2 73 6SDG D4 5

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8.2. Size:1809K kexin
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SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETSI9435DYSOP-8 Features VDS (V) =-30V ID =-5.3 A (VGS =-10V)1.50 0.15 RDS(ON) 50m (VGS =-10V) RDS(ON) 80m (VGS =-4.5V) Fast switching speed1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 Gate5 46 37 28 1 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-

8.3. Size:3139K cn szxunrui
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SOP-8 Plastic-Encapsulate MOSFETS SI9435P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET SOP-8Description SD1 8The SI9435 uses advanced trench technology to provide S D2 7excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate SD3 6G D4 5voltages as low as 4.5V. Top ViewEquivalent Cir cuitGeneral Features S VDS = -30V = -4.2A RDS(ON)

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SI9435DY-T1www.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.042 at VGS = - 10 V - 5.8 TrenchFET Power MOSFET0.055 at VGS = - 6 V - 30 - 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.060 at VGS = - 4.5 V - 4.4SSO-8GSD1 8S D2 73 6SDG D4 5DT

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: