A9452 Todos los transistores

 

A9452 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: A9452

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm

Encapsulados: SOT89

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A9452 datasheet

 ..1. Size:1117K  kexin
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A9452

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET A9452 Features VDS (V) = 20V 1.70 0.1 ID = 4 A (VGS = 12V) RDS(ON) 0.038 (VGS = 10V) RDS(ON) 0.05 (VGS = 4.5V) RDS(ON) 0.08 (VGS = 2.5V) Marking A9452 0.42 0.1 0.46 0.1 D G 1.Gate 2.Drain S 3.Source Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Volt

 0.1. Size:993K  jiangsu
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A9452

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJA9452 N-Channel 20-V(D-S) MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-89-3L 38m @10V 20V 50m @4.5V 4A 80m @2.5V 1. GATE 2. DRAIN Description 3. SOURCE The Advanced Power MOSFETs provide the desigher with the best combination of fast switching, ruggedized device desigh, ultra low

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History: 2SK2291 | CMP100N04 | VS6880AT | NCE60H10F | AP4523GD | 4N60KL-TF1-T | VB3222

 

 

 

 

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