A9452 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: A9452
   Código: A9452
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89

Búsqueda de reemplazo de MOSFET A9452

A9452 Datasheet (PDF)

..1. Size:1117K kexin
a9452.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFET A9452 Features VDS (V) = 20V1.70 0.1 ID = 4 A (VGS = 12V) RDS(ON) 0.038 (VGS = 10V) RDS(ON) 0.05 (VGS = 4.5V) RDS(ON) 0.08 (VGS = 2.5V) Marking:A94520.42 0.10.46 0.1DG1.Gate2.DrainS3.Source Absolute Maximum Ratings Ta = 25ParameterSymbol Rating Unit Drain-Source Volt

0.1. Size:993K jiangsu
cja9452.pdf

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJA9452 N-Channel 20-V(D-S) MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX SOT-89-3L 38m@10V20V 50m@4.5V4A80m@2.5V1. GATE 2. DRAIN Description 3. SOURCE The Advanced Power MOSFETs provide the desigher with the best combination of fast switching, ruggedized device desigh, ultra low

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: