AO4476 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AO4476
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.7 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
Encapsulados: SOP8
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AO4476 datasheet
ao4476.pdf
SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET AO4476 (KO4476) SOP-8 Features VDS (V) = 30V ID = 15 A (VGS = 10V) RDS(ON) 10.5m (VGS = 10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 17m (VGS = 4.5V) 1 Source 5 Drain 6 Drain 2 Source 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate D G S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V Ga
ao4476a.pdf
AO4476A 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V The AO4476A combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 15A extremely low RDS(ON). This device is suitable for use as a RDS(ON) (at VGS=10V)
ao4476a.pdf
SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET AO4476A (KO4476A) SOP-8 Features VDS (V) = 30V ID = 15 A (VGS = 10V) RDS(ON) 7.7m (VGS = 10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 10.8m (VGS = 4.5V) 1 Source 5 Drain 6 Drain 2 Source 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate D G S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V
ao4472.pdf
AO4472 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AO4472 uses advanced trench technology to provide VDS (V) = 30V excellent RDS(ON), shoot-through immunity, body diode www.DataSheet4U.com ID = 19A (VGS = 10V) characteristics and ultra-low gate resistance. This device is RDS(ON)
Otros transistores... A9452 , AMS6006 , AO4306 , AO4404 , AO4406 , AO4408 , AO4418 , AO4444 , STP80NF70 , AO4492 , AO4702 , AO4704 , AP2322GN , AP9974 , BSS138E , D1096 , F501 .
History: 2SK1330 | FTA02N65
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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