KI3055 Todos los transistores

 

KI3055 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: KI3055
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET KI3055

 

Principales características: KI3055

 ..1. Size:1882K  kexin
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KI3055

SMD Type MOSFET N-Channel Enhancement MOSFET KI3055 SOT-23-3 Unit mm +0.2 2.9 -0.1 +0.1 Features 0.4 -0.1 3 VDS (V) = 60V ID = 3.7A (VGS = 10V) RDS(ON) 100m (VGS = 10V) 1 2 RDS(ON) 120m (VGS = 4.5V) +0.02 +0.1 0.15 -0.02 0.95-0.1 +0.1 1.9-0.2 D 1. Gate 2. Source 3. Drain G S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbo

 0.1. Size:1021K  kexin
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KI3055

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET KI3055DY SOP-8 Features VDS (V) = 60V ID = 6 A (VGS = 10V) RDS(ON) 150m (VGS = 10V) 1.50 0.15 D 1 3.Source 4.Gate G 5 8.Drain S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS 20 TA=25 6 Continuous Drain Current ID A TA=70 3 P

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