SI2318DS Todos los transistores

 

SI2318DS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI2318DS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm

Encapsulados: SOT23

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SI2318DS datasheet

 ..1. Size:185K  vishay
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SI2318DS

Si2318DS Vishay Siliconix N-Channel 40-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.045 at VGS = 10 V 3.9 TrenchFET Power MOSFET 40 0.058 at VGS = 4.5 V 3.5 APPLICATIONS Stepper Motors Load Switch TO-236 (SOT-23) G 1 3 D S 2 Top View Si2318DS( C8)* *Marking Code Ordering

 ..2. Size:1447K  kexin
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SI2318DS

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET SI2318DS (KI2318DS) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features VDS (V) = 40V ID = 3.9 A (VGS = 10V) RDS(ON) 45m (VGS = 10V) 1 2 +0.1 +0.05 0.95 -0.1 RDS(ON) 58m (VGS = 4.5V) 0.1-0.01 +0.1 1.9 -0.1 1. Gate 2. Source 3. Drain G 1 3 D S 2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Sy

 0.1. Size:1451K  kexin
si2318ds-3.pdf pdf_icon

SI2318DS

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET SI2318DS (KI2318DS) SOT-23-3 Unit mm +0.2 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features VDS (V) = 40V ID = 3.9 A (VGS = 10V) 1 2 RDS(ON) 45m (VGS = 10V) +0.02 +0.1 0.15 -0.02 0.95 -0.1 RDS(ON) 58m (VGS = 4.5V) +0.1 1.9 -0.2 1. Gate 2. Source 3. Drain G 1 3 D S 2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Paramet

 0.2. Size:848K  cn vbsemi
si2318ds-t1-ge3.pdf pdf_icon

SI2318DS

SI2318DS-T1-GE3 www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Definition 0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET 6.5 30 4.5 nC 100 % Rg Tested 0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS DC/DC Converter D TO-236 (SOT

Otros transistores... NFT1N60 , NTD100N02 , NTD6N15 , SI2306DS , SI2308DS , SI2312DS , SI2314EDS , SI2318CDS , IRFP250N , SI2324DS , SI2328DS , SI2356DS , SI2366DS , SI2372DS , SI4056DY , SI4490DY , SI4634DY .

History: DMC4050SSD | PJW4N06A-AU | DG2N65-252 | 2SK3037 | ZXMP3F36N8 | ZXMP6A16DN8 | CM8N80

 

 

 

 

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