SM1105NSV Todos los transistores

 

SM1105NSV MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM1105NSV

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm

Encapsulados: SOT223

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SM1105NSV datasheet

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SM1105NSV

SM1105NSV N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 100V/3.5A, RDS(ON)= 105m (max.) @ VGS= 10V G RDS(ON)= 175m (max.) @ VGS= 4.5V D S ESD proteced Reliable and Rugged Top View SOT-223 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) D Applications Power Management in TV Inverter. G S N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Package Co

 6.1. Size:305K  sino
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SM1105NSV

SM1105NSUB N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 100V/16A, RDS(ON)= 100m (max.) @ VGS=10V S RDS(ON)= 170m (max.) @ VGS=4.5V D G ESD Protected Top View of TO-251 Reliable and Rugged D Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) G Applications Power Management in TV Inverter. S N-Channel MOSFET Ordering and Marking Information Package

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SM1105NSV

SM1105NSK N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D D D D 100V/3.5A, RDS(ON)= 105m (max.) @ VGS= 10V RDS(ON)= 175m (max.) @ VGS= 4.5V S S S ESD proteced G Reliable and Rugged Top View of SOP-8 Lead Free and Green Devices Available ( 5,6,7,8 ) (RoHS Compliant) D D D D Applications Power Management in TV Inverter. (4) G S S S (1, 2, 3) N-Chan

 9.1. Size:101K  taiwansemi
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SM1105NSV

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History: LP4411ET1G | LP4101LT1G | NTD4965N | 2SK1356 | APM9988QB | STB37N60DM2AG | WMM28N60F2

 

 

 

 

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