SM1202NSAS Todos los transistores

 

SM1202NSAS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM1202NSAS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm

Encapsulados: SOT723

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SM1202NSAS datasheet

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SM1202NSAS

SM1202NSAS N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D 30V/0.35A , RDS(ON)= 700m (max.) @ VGS=4.5V S RDS(ON)= 1000m (max.) @ VGS=2.5V G RDS(ON)= 1600m (max.) @ VGS=1.8V RDS(ON)= 5000m (max.) @ VGS=1.5V Top View of SOT-723 Reliable and Rugged D Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) ESD Protection G Applications High Speed Switching.

 9.1. Size:233K  sino
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SM1202NSAS

SM1200NSAS N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D 60V/0.2A , RDS(ON)=2.2 (max.) @ VGS=10V S RDS(ON)=2.6 (max.) @ VGS=4.5V G ESD Protection HBM=(+/-)1600V MM=(+/-)100V Top View of SOT-723 Lead Free and Green Devices Available D Reliable and Rugged (RoHS Compliant) Applications G High Speed and Analog Switching Applications Low voltage drive (

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History: 2SK1444LS | WMN15N65F2

 

 

 

 

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