SM1A25NSU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SM1A25NSU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.162 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM1A25NSU

SM1A25NSU Datasheet (PDF)

..1. Size:265K sino
sm1a25nsu.pdf

SM1A25NSUN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 100V/10A,D RDS(ON)= 162m (max.) @ VGS= 10VS RDS(ON)= 180m (max.) @ VGS= 4.5V Reliable and RuggedG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Top View of TO-252D (2)ApplicationsG (1) Power Management in TV Inverter.S (3)N-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage C

0.1. Size:152K sino
sm1a25nsub.pdf

SM1A25NSUBN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 100V/10A, RDS(ON)= 162m(max.) @ VGS= 10V RDS(ON)= 180m(max.) @ VGS= 4.5VS 100% UIS + Rg TestedDG Reliable and RuggedTop View of TO-251 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)D (2)ApplicationsG (1) Power Management in TV Inverter.S (3)N-Channel MOSFETOrdering and M

6.1. Size:266K sino
sm1a25nsv.pdf

SM1A25NSVN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD 100V/3.3A, RDS(ON)= 162m (max.) @ VGS= 10VG RDS(ON)= 180m (max.) @ VGS= 4.5VDS Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableTop View SOT-223 (RoHS Compliant)D (2)ApplicationsG (1) Power Management in DC/DC Converter.S (3)N-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackag

6.2. Size:263K sino
sm1a25nsk.pdf

SM1A25NSKN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDD 100V/3.3A,DD RDS(ON)= 162m (max.) @ VGS= 10V RDS(ON)= 180m (max.) @ VGS= 4.5VS ESD ProtectionSSG Reliable and RuggedTop View of SOP-8 Lead Free and Green Devices Available( 5,6,7,8 ) (RoHS Compliant)D D D D(4)ApplicationsG Power Management in TV Inverter.S S S(1, 2, 3)N

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Liste

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