SM2A08NSF Todos los transistores

 

SM2A08NSF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM2A08NSF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 54 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 25 V

Corriente continua de drenaje (Id): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 5 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 55 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.205 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220

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SM2A08NSF Datasheet (PDF)

1.1. sm2a08nsf.pdf Size:156K _sino

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SM2A08NSF ® N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 200V/10A, RDS(ON)=205mΩ (max.) @ VGS=10V 100% UIS + Rg Tested S D Reliable and Rugged G Lead Free and Green Devices Available Top View of TO-220 (RoHS Compliant) D Applications G • High Frequency DC-DC Converters. • Plasma Display Panel. • Power Management in TV Converter. S N-Channel MOSFET

1.2. sm2a08nsfp.pdf Size:149K _sino

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SM2A08NSFP ® N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 200V/9A, RDS(ON)=205mΩ (max.) @ VGS=10V 100% UIS + Rg Tested S D Reliable and Rugged G Lead Free and Green Devices Available Top View of TO-220FP (RoHS Compliant) D Applications G • High Frequency DC-DC Converters. • Plasma Display Panel. • Power Management in TV Converter. S N-Channel MOSFET

 2.1. sm2a08nsu.pdf Size:261K _sino

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SM2A08NSU ® N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 200V/10A, D RDS(ON)=210m (max.) @ VGS=10V S Reliable and Rugged G Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Top View of TO-252-3 D Applications High Current Switching. G Uninterruptible Power Supply. Inverter Systems. Display & Lighting Equipment. S N-Channel MOSFET Ordering and Mark

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