SM2004NSD Todos los transistores

 

SM2004NSD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM2004NSD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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SM2004NSD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:241K  sino
sm2004nsd.pdf pdf_icon

SM2004NSD

SM2004NSD N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 20V/7A, RDS(ON)= 22m (max.) @ VGS= 10VSD RDS(ON)= 28m (max.) @ VGS= 4.5VG RDS(ON)= 54m (max.) @ VGS= 2.5V 100% UIS and Rg testedTop View SOT-89 ESD Protection Reliable and RuggedD (2) Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)G (1)Applications Switching Regulators.S (3) Sw

 9.1. Size:145K  1
bsm200gar120dn2.pdf pdf_icon

SM2004NSD

BSM 200 GAR 120 DN2IGBT Power Module Single switch with chopper diode at collector Chopper diode like diode of BSM300GA120DN2 Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 200 GAR 120 DN2 1200V 290A HB 200GAR C67070-A2301-A70Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollector-gate voltage VCGRRGE =

 9.2. Size:244K  infineon
bsm200gb120dlc.pdf pdf_icon

SM2004NSD

Technische Information / technical informationIGBT-ModuleBSM200GB120DLCIGBT-modules62mm C-Serien Modul mit low loss IGBT2 und EmCon Diode 62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverterHchstzulssige Werte / maximum rated valuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vcollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstro

 9.3. Size:156K  eupec
bsm200gb170dlc.pdf pdf_icon

SM2004NSD

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleBSM 200 GB 170 DLCIGBT-ModulesHchstzulssige Werte / Maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesKollektor-Emitter-SperrspannungTvj = 25C VCES 1700 Vcollector-emitter voltageTC = 80 C IC,nom. 200 AKollektor-DauergleichstromDC-collector currentTC = 25 C IC 400 APeriodischer Kollek

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History: LBSS84WT1G | HMS120N03D

 

 
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