SM2030NSU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SM2030NSU
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0205 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM2030NSU
SM2030NSU Datasheet (PDF)
sm2030nsu.pdf
SM2030NSU N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDrain 4 20V/30A, RDS(ON)= 20.5m (Max.) @ VGS=4.5V3 Source2 RDS(ON)= 29m (Max.) @ VGS=2.5V1 Gate Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableTop View of TO-252(RoHS Compliant)DApplicationsG Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters.SN-Channel MOSFETOrdering
ssm2030gm.pdf
SSM2030GMN- and P-channel Enhancement-mode Power MOSFETsN-CH BVDSS 20VSimple drive requirement D2D2D2 RDS(ON) 30mLower gate charge D1D1D1D1ID 6AFast switching characteristicsG2G2P-CH BVDSS -20VPb-free; RoHS compliant. S2S2 G1SO-8 S1G1RDS(ON) 50mS1 DESCRIPTIONID -5AAdvanced Power MOSFETs from Silicon Standard provide theD2D1designer wit
ssm2030sd.pdf
SSM2030SDN AND P-CHANNELENHANCEMENT-MODE POWER MOSFETSSimple drive requirement D2 N-ch BV 20VDSSD2D1Low on-resistance R 60mDS(ON)D1Fast switching I 2.6ADP-ch BVDSS -20VG2S2PDIP-8G1 RDS(ON) 80mS1Description ID -2.3APower MOSFETs from Silicon Standard provide thedesigner with the best combination of fast switching,VinVoutruggedized device design,
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Liste
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