SM2030NSU Todos los transistores

 

SM2030NSU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM2030NSU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0205 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

SM2030NSU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:260K  sino
 sm2030nsu.pdf pdf_icon

SM2030NSU

SM2030NSU N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDrain 4 20V/30A, RDS(ON)= 20.5m (Max.) @ VGS=4.5V3 Source2 RDS(ON)= 29m (Max.) @ VGS=2.5V1 Gate Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableTop View of TO-252(RoHS Compliant)DApplicationsG Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters.SN-Channel MOSFETOrdering

 8.1. Size:555K  silicon standard
 ssm2030gm.pdf pdf_icon

SM2030NSU

SSM2030GMN- and P-channel Enhancement-mode Power MOSFETsN-CH BVDSS 20VSimple drive requirement D2D2D2 RDS(ON) 30mLower gate charge D1D1D1D1ID 6AFast switching characteristicsG2G2P-CH BVDSS -20VPb-free; RoHS compliant. S2S2 G1SO-8 S1G1RDS(ON) 50mS1 DESCRIPTIONID -5AAdvanced Power MOSFETs from Silicon Standard provide theD2D1designer wit

 8.2. Size:466K  silicon standard
 ssm2030sd.pdf pdf_icon

SM2030NSU

SSM2030SDN AND P-CHANNELENHANCEMENT-MODE POWER MOSFETSSimple drive requirement D2 N-ch BV 20VDSSD2D1Low on-resistance R 60mDS(ON)D1Fast switching I 2.6ADP-ch BVDSS -20VG2S2PDIP-8G1 RDS(ON) 80mS1Description ID -2.3APower MOSFETs from Silicon Standard provide thedesigner with the best combination of fast switching,VinVoutruggedized device design,

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ME2606 | AP9578GP | ATP107 | 7NM70G-TMN2-T | AP8600P | TK4P60D | NTD65N03R-035

 

 
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