SM4337NSKP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SM4337NSKP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 21 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 178 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0071 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM4337NSKP

SM4337NSKP Datasheet (PDF)

..1. Size:278K sino
sm4337nskp.pdf

SM4337NSKP N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDD 30V/55A,DD RDS(ON)=7.1m (max.) @ VGS=10V RDS(ON)=10m (max.) @ VGS=4.5VGPin 1S 100% EAS (UIS) test SSDFN5x6-8 ESD Protection(5,6,7,8) Lead Free and Green Devices AvailableDDDD (RoHS Compliant)(4) GApplications Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters.S S S

9.1. Size:263K sino
sm4331psk.pdf

SM4331PSK P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -30V/-19.2A,DDDRDS(ON) =7.5m (max.) @ VGS =-10VDRDS(ON) =13m (max.) @ VGS =-4.5V Reliable and RuggedSSS Lead Free and Green Devices AvailableG (RoHS Compliant)Top View of SOP-8 HBM ESD protection level pass 8KV( 5,6,7,8 )DDDDNote : The diode connected between the gate andsource serv

9.2. Size:276K sino
sm4336nskp.pdf

SM4336NSKP N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD 30V/65A, DDD RDS(ON)=5.3m (Max.) @ VGS=10V RDS(ON)=7.5m (Max.) @ VGS=4.5VGPin 1S Reliable and RuggedSS ESD Protection DFN5x6-8(5,6,7,8) Lead Free and Green Devices AvailableDDDD (RoHS Compliant)(4) GApplications Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters.S S S

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