SM4365NAKP Todos los transistores

 

SM4365NAKP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM4365NAKP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 128 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8
 

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SM4365NAKP datasheet

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SM4365NAKP

SM4365NAKP N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D D 30V/45A, D D RDS(ON)= 10.5m (max.) @ VGS=10V RDS(ON)= 14.5m (max.) @ VGS=4.5V G S Pin 1 Reliable and Rugged S S Lead Free and Green Devices Available DFN5x6-8 (RoHS Compliant) (5,6,7,8) DDDD 100% UIS Tested Applications (4) G Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters. S

 9.1. Size:264K  sino
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SM4365NAKP

SM4364NAKP N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D 30V/60A, D D D RDS(ON)=5.7m (Max.) @ VGS=10V RDS(ON)=7.6m (Max.) @ VGS=4.5V G Pin 1 S 100% UIS + Rg Tested S S Reliable and Rugged DFN5x6A-8_EP Lead Free and Green Devices Available (5,6,7,8) DDDD (RoHS Compliant) Applications (4) G Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converter

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