SM4365NAKP Todos los transistores

 

SM4365NAKP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM4365NAKP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 32 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 45 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 10 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 128 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0105 Ohm

Empaquetado / Estuche: DFN5X6A-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM4365NAKP

 

SM4365NAKP Datasheet (PDF)

1.1. sm4365nakp.pdf Size:296K _sino

SM4365NAKP
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SM4365NAKP ® N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D D 30V/45A, D D RDS(ON)= 10.5m (max.) @ VGS=10V RDS(ON)= 14.5m (max.) @ VGS=4.5V G S Pin 1 Reliable and Rugged S S Lead Free and Green Devices Available DFN5x6-8 (RoHS Compliant) (5,6,7,8) DDDD 100% UIS Tested Applications (4) G Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters. S

5.1. sm4364nakp.pdf Size:202K _sino

SM4365NAKP
SM4365NAKP

SM4364NAKP ® N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D • 30V/60A, D D D RDS(ON)=5.7mΩ (Max.) @ VGS=10V RDS(ON)=7.6mΩ (Max.) @ VGS=4.5V G Pin 1 S 100% UIS + Rg Tested S S Reliable and Rugged DFN5x6-8 (Punch EP) Lead Free and Green Devices Available (5,6,7,8) DDDD (RoHS Compliant) Applications (4) G • Power Management in Desktop Computer o

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