SM4365NAKP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SM4365NAKP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 128 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM4365NAKP

SM4365NAKP Datasheet (PDF)

..1. Size:296K sino
sm4365nakp.pdf

SM4365NAKP N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDD 30V/45A,DDRDS(ON)= 10.5m (max.) @ VGS=10V RDS(ON)= 14.5m (max.) @ VGS=4.5VGSPin 1 Reliable and Rugged SS Lead Free and Green Devices AvailableDFN5x6-8(RoHS Compliant)(5,6,7,8)DDDD 100% UIS TestedApplications(4) G Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters.S

9.1. Size:264K sino
sm4364nakp.pdf

SM4364NAKP N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD 30V/60A, DDD RDS(ON)=5.7m (Max.) @ VGS=10V RDS(ON)=7.6m (Max.) @ VGS=4.5VGPin 1S 100% UIS + Rg TestedSS Reliable and RuggedDFN5x6A-8_EP Lead Free and Green Devices Available(5,6,7,8)DDDD(RoHS Compliant)Applications(4) G Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converter

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