SM4365NAKP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM4365NAKP  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 128 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm

Encapsulados: DFN5X6-8

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SM4365NAKP datasheet

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SM4365NAKP

SM4365NAKP N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D D 30V/45A, D D RDS(ON)= 10.5m (max.) @ VGS=10V RDS(ON)= 14.5m (max.) @ VGS=4.5V G S Pin 1 Reliable and Rugged S S Lead Free and Green Devices Available DFN5x6-8 (RoHS Compliant) (5,6,7,8) DDDD 100% UIS Tested Applications (4) G Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters. S

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SM4365NAKP

SM4364NAKP N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description D 30V/60A, D D D RDS(ON)=5.7m (Max.) @ VGS=10V RDS(ON)=7.6m (Max.) @ VGS=4.5V G Pin 1 S 100% UIS + Rg Tested S S Reliable and Rugged DFN5x6A-8_EP Lead Free and Green Devices Available (5,6,7,8) DDDD (RoHS Compliant) Applications (4) G Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converter

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