SM2F04NSU Todos los transistores

 

SM2F04NSU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM2F04NSU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SM2F04NSU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:171K  sino
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SM2F04NSU

SM2F04NSU N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 250V/10A,DRDS(ON)= 300m (Max.) @ VGS=10VS Reliable and RuggedG Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant) Top View of TO-252-3DApplicationsG Power Management in TV Inverter.SN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage CodeSM2F04NS U : TO-252-3Assembly

 9.1. Size:238K  sino
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SM2F04NSU

SM2F05NSU N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 250V/7.4A,DRDS(ON)= 390m (Max.) @ VGS=10VS 100% UIS + Rg TestedG Reliable and RuggedTop View of TO-252-2 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)DApplicationsG Power Management in TV Inverter.SN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage CodeSM2F05NS U : TO

 9.2. Size:237K  sino
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SM2F04NSU

SM2F07NSU N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 250V/5.2A,DRDS(ON)= 690m (Max.) @ VGS=10VS 100% UIS + Rg TestedG Reliable and RuggedTop View of TO-252-2 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)DApplicationsG Power Management in TV Inverter.SN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPackage CodeSM2F07NS U : TO

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History: AOB20S60 | AP2325GEN | SD8901HD

 

 
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