SM4387NSKP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SM4387NSKP
   Código: 4387NS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 25.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0108 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM4387NSKP

SM4387NSKP Datasheet (PDF)

..1. Size:207K sino
sm4387nskp.pdf

SM4387NSKP N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD 30V/40A,DDDRDS(ON)= 10.8m (max.) @ VGS=10V RDS(ON)= 12m (max.) @ VGS=4.5VG RDS(ON)= 16m (max.) @ VGS=2.5VSPin 1SS 100% UIS+Rg testedDFN5x6A-8_EP Reliable and RuggedD (5, 6, 7, 8) Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)ApplicationsG (4) Power Mana

9.1. Size:322K sino
sm4382nskp.pdf

SM4382NAKP N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD 30V/100A,DDDRDS(ON) = 2.4m (max.) @ VGS =10VRDS(ON) = 3.2m (max.) @ VGS =4.5VGPin 1S 100% UIS TestedSS Reliable and RuggedDFN5x6-8 Lead Free Available (RoHS Compliant)(5,6,7,8)DDDD Integrated Schottky DiodeApplications(4) G Synchronous Rectifier for DC/DC Converters. NB Vc

9.2. Size:322K sino
sm4382nakp.pdf

9.3. Size:288K sino
sm4383nskp.pdf

SM4383NSKP N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD 30V/55A, DDDRDS(ON)= 2.85m (max.) @ VGS=10V RDS(ON)= 5.2m (max.) @ VGS=4.5VGS Pin 1 Integrated Schottky DiodeSS Avalanche RatedDFN5x6-8 Reliable and Rugged(5,6,7,8)D D DD Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications(4) G Power Management in Notebook Comput

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