SM2208NSQG Todos los transistores

 

SM2208NSQG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM2208NSQG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.32 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2A-6
     - Selección de transistores por parámetros

 

SM2208NSQG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:258K  sino
sm2208nsqg.pdf pdf_icon

SM2208NSQG

SM2208NSQGN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionSD 24V/12A,DDRDS(ON) = 5.8m (max.) @ VGS =10VRDS(ON) = 6.9m (max.) @ VGS =4.5VG SPin 1DDRDS(ON) = 10m (max.) @ VGS =2.5V 100% UIS + Rg TestedDFN2x2A-6_EP Reliable and Rugged(1,2,5,6)DDDD Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)Applications(3)G Battery Management A

 9.1. Size:185K  sino
sm2202nsqe.pdf pdf_icon

SM2208NSQG

SM2202NSQEN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionSD 30V/8.4A,DDRDS(ON) = 15.5m(max.) @ VGS =10VRDS(ON) = 21m(max.) @ VGS =4.5V GSD Pin 1D Avalanche RatedTDFN2x2-6 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available(1,2,5,6)DD DD(RoHS Compliant) 100% UIS TestedApplications(3)G Power Management in Notebook Computer,

 9.2. Size:179K  sino
sm2207psqg.pdf pdf_icon

SM2208NSQG

SM2207PSQGP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -12V/-8.7A,SDDDRDS(ON) = 22m(max.) @ VGS =-4.5VRDS(ON) = 30m(max.) @ VGS =-2.5VG SPin 1RDS(ON) = 38m(max.) @ VGS =-1.8VDDRDS(ON) = 57m(max.) @ VGS =-1.5VDFN2x2-6 Reliable and Rugged(1,2,5,6) Lead Free and Green Devices AvailableDD DD(RoHS Compliant)Applications(3)G

 9.3. Size:184K  sino
sm2201nsqg.pdf pdf_icon

SM2208NSQG

SM2201NSQGN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionSD 30V/10.2A,DDRDS(ON) = 10.5m(max.) @ VGS =10VRDS(ON) = 14m(max.) @ VGS =4.5VGSDPin 1D Reliable and RuggedDFN2x2-6 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)(1,2,5,6)DD DD 100% UIS TestedApplications(3)G Power Management in Notebook Computer,(4)SPortable

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SVSP14N60TD2 | IXTU2N80P

 

 
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