SM2501NSU Todos los transistores

 

SM2501NSU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM2501NSU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 23 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SM2501NSU Datasheet (PDF)

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SM2501NSU

SM2501NSU N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 25V/60A,Drain 4 RDS(ON)= 5m (Max.) @ VGS=10V3Source2 RDS(ON)= 6m (Max.) @ VGS=4.5V1Gate RDS(ON)= 7.5m (Max.) @ VGS=2.5V Reliable and RuggedTop View of TO-252-3 Lead Free and Green Devices AvailableD(RoHS Compliant)ApplicationsG Power Motor Controls. High Frequency Isolated DC-DC Con

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