SM2501NSU Todos los transistores

 

SM2501NSU MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM2501NSU

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm

Encapsulados: TO252

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SM2501NSU datasheet

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SM2501NSU

SM2501NSU N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 25V/60A, Drain 4 RDS(ON)= 5m (Max.) @ VGS=10V 3 Source 2 RDS(ON)= 6m (Max.) @ VGS=4.5V 1 Gate RDS(ON)= 7.5m (Max.) @ VGS=2.5V Reliable and Rugged Top View of TO-252-3 Lead Free and Green Devices Available D (RoHS Compliant) Applications G Power Motor Controls. High Frequency Isolated DC-DC Con

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History: WMP10N65C4 | KO3415 | UT2302G-AE3 | JCS12N65CT | RU20P7C | KI4435DY

 

 

 

 

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