SM2518NSUC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SM2518NSUC
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251S
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM2518NSUC
SM2518NSUC Datasheet (PDF)
sm2518nsuc.pdf
SM2518NSUCN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 25V/50A,RDS(ON)=9.5m (max.) @ VGS=10VRDS(ON)=14.5m (max.) @ VGS=4.5VSD Reliable and Rugged G Avalanche Rated Lead Free and Green Devices AvailableTop View of TO-251S(RoHS Compliant)D 100% UIS + Rg TestedGApplications Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters.SN-Channel
sm2518nub.pdf
SM2518NUBN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 25V/50A,RDS(ON)=8m (Typ.) @ VGS=10VRDS(ON)=15m (Typ.) @ VGS=4.5VSD Reliable and RuggedG Avalanche Rated Lead Free and Green Devices AvailableTop View of TO-251(RoHS Compliant) 100% UIS + Rg TestedDApplicationsG Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters.SN-Channel
gsm2519.pdf
GSM2519 GSM2519 20V N&P Pair Enhancement Mode MOSFETProduct Description Features GSM2519, N & P Pair enhancement mode N-ChannelMOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/4.5A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/3.6A,RDS(ON)=60m@VGS=2.5V 20V/2.4A,RDS(ON)=80m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low P-Channelvoltage
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918