SM2558NUB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SM2558NUB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 22.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0057 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM2558NUB

SM2558NUB Datasheet (PDF)

..1. Size:152K sino
sm2558nub.pdf

SM2558NUBN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 25V/60A,RDS(ON)=4.5m (Typ.) @ VGS=10VRDS(ON)=7.5m (Typ.) @ VGS=4.5VSD Reliable and RuggedG Avalanche Rated Lead Free and Green Devices AvailableTop View of TO-251(RoHS Compliant)D 100% UIS + Rg TestedApplicationsG Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters.SN-C

7.1. Size:228K sino
sm2558nsuc.pdf

SM2558NSUCN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 25V/60A,RDS(ON)=5.2m (max.) @ VGS=10VSRDS(ON)=9.5m (max.) @ VGS=4.5VDG Reliable and Rugged Avalanche RatedTop View of TO-251 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)DApplicationsG Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters.SN-Channel MOSFETOrdering and Mar

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: