SM2558NUB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SM2558NUB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 25 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 60 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 22.5 nC
Tiempo de subida (tr): 12 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 400 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0057 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM2558NUB
SM2558NUB Datasheet (PDF)
sm2558nub.pdf
SM2558NUBN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 25V/60A,RDS(ON)=4.5m (Typ.) @ VGS=10VRDS(ON)=7.5m (Typ.) @ VGS=4.5VSD Reliable and RuggedG Avalanche Rated Lead Free and Green Devices AvailableTop View of TO-251(RoHS Compliant)D 100% UIS + Rg TestedApplicationsG Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters.SN-C
sm2558nsuc.pdf
SM2558NSUCN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 25V/60A,RDS(ON)=5.2m (max.) @ VGS=10VSRDS(ON)=9.5m (max.) @ VGS=4.5VDG Reliable and Rugged Avalanche RatedTop View of TO-251 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)DApplicationsG Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters.SN-Channel MOSFETOrdering and Mar
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History: HGI098N10AL
